Infineon Technologies Transistor (BJT) – diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN – Darlington Tape cut Mindestbestellmenge: 50 Stück

Infineon Technologies Transistor (BJT) – diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN – Darlington Tape cut

NPN-Transistor

NPN-Transistor (8 mm-Gurt).

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN – Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20000 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 170 MHz · VCE Sättigung (max.): 1 V · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut