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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington onsemi

ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN – Darlington

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ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret MJ11016G TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN – Darlington

Darlington Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN – Darlington · Collector-Strom I(C): 30 A · DC Stromverstärkung (hFE): 1000 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 20 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 120 V · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 4 MHz · VCE Sättigung (max.): 4 V

Marke

onsemi
Art.-Nr.

MJ11016G
Marken onsemi

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