STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington ST Microelectronics

STMicroelectronics Transistor (BJT) – diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN – Darlington Mindestbestellmenge: 50 Stück

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STMicroelectronics Transistor (BJT) – diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN – Darlington

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN – Darlington · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 3 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 60 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 2 V

Marke

ST Microelectronics
Art.-Nr.

BDX53B
Marken ST Microelectronics

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