Vishay IRFB18N50KPBF MOSFET 1 N-Kanal 220 W TO-220
MOSFET (HEXFET)
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2830 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 17 A · Leistung (max) P(TOT): 220 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 120 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 290 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 10 A · U(DSS): 500 V
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | Vishay |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220 |
| Ausführung (Transistoren): | N-Kanal |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | VIS |
| Typ (Hersteller-Typ): | IRFB18N50KPBF |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| C(ISS): | 2830 pF |
| C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V |
| I(d): | 17 A |
| Betriebstemperatur (max.): | +150 °C |
| Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C |
| Leistung (max) P(TOT): | 220 W |
| Q(G): | 120 nC |
| Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V |
| R(DS)(on): | 290 mΩ |
| R(DS)(on) Referenz-Strom: | 10 A |
| R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V |
| U(DSS): | 500 V |
| Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 500 V |
| Produkt-Art: | MOSFET |
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