Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · I(d): 9.7 A · Leistung (max) P(TOT): 2.0 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.0155 Ω
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | SO-8 |
| Ausführung (Transistoren): | N-Kanal |
| Typ (Hersteller-Typ): | IRF8313PBF-GURT |
| Montageart: | Oberflächenmontage |
| I(d): | 9.7 A |
| Leistung (max) P(TOT): | 2.0 W |
| R(DS)(on): | 0.0155 Ω |
| Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 30 V |
| Produkt-Art: | MOSFET |
Rezensionen
Es gibt noch keine Rezensionen.