ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -80 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 1.5 MHz · VCE Sättigung (max.): -1.1 V
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | ON Semiconductor |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220AB |
| Ausführung (Transistoren): | PNP |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS |
| Typ (Hersteller-Typ): | BD810G |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| Kollektor Reststrom I(CES): | -1 mA |
| Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -80 V |
| Collector-Strom I(C): | -10 A |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: | -4 A |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: | -2 V |
| DC Stromverstärkung (hFE): | 15 |
| Leistung (max) P(TOT): | 90 W |
| Transitfrequenz f(T): | 1.5 MHz |
| VCE Sättigung (max.): | -1.1 V |
| Produkt-Art: | Transistor (BJT) – diskret |
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