ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Mindestbestellmenge: 50 Stück

ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -40 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · VCE Sättigung (max.): -400 mV