ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret BC548CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Transistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV

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