ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N4401BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN onsemi

ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2N4401BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Mindestbestellmenge: 50 Stück

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ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2N4401BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · VCE Sättigung (max.): 750 mV

Marke

onsemi
Art.-Nr.

2N4401BU
Marken onsemi

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