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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN onsemi

ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN Mindestbestellmenge: 5 Stück

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ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN

Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 5 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 250 V · Leistung (max) P(TOT): 150 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 30 MHz · VCE Sättigung (max.): 3 V

Marke

onsemi
Art.-Nr.

2SC5200OTU
Marken onsemi

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