Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23 Mindestbestellmenge: 50 Stück

Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 12 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 830 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 4.3 A · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 15 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 50 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.3 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 12 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 0.95 V