Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · I(d): 57 A · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.023 Ω
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | D2PAK |
| Ausführung (Transistoren): | N-Kanal |
| Typ (Hersteller-Typ): | IRF3710SPBF-GURT |
| Montageart: | Oberflächenmontage |
| I(d): | 57 A |
| Leistung (max) P(TOT): | 200 W |
| R(DS)(on): | 0.023 Ω |
| Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 100 V |
| Produkt-Art: | MOSFET |
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