Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220AB Mindestbestellmenge: 5 Stück

Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220AB

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 11360 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 180 A · Leistung (max) P(TOT): 370 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 130 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 4.3 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 110 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2.5 V