STMicroelectronics Transistor (BJT) – diskret TIP137 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP – Darlington
Darlington Leistungstransistor
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP – Darlington · Collector-Strom I(C): -8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 1000 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): -500 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -100 V · Leistung (max) P(TOT): 2 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): -4 V
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220AB |
| Ausführung (Transistoren): | PNP – Darlington |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | STM |
| Typ (Hersteller-Typ): | TIP137 |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| Kollektor Reststrom I(CES): | -500 µA |
| Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -100 V |
| Collector-Strom I(C): | -8 A |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: | -4 A |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: | -4 V |
| DC Stromverstärkung (hFE): | 1000 |
| Leistung (max) P(TOT): | 2 W |
| VCE Sättigung (max.): | -4 V |
| Produkt-Art: | Transistor (BJT) – diskret |
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