IGBT-Modul SEMITRANS®
Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 160 A · Eingangskapazität: 7.1 nF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SEMITRANS 2 · Hersteller: Semikron · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): SKR · I(CM): 200 A · Kollektor Reststrom I(CES): 3 mA · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1700 V · Konfiguration (Transistoren): Einzeln · Montageart: Gehäuse · Produkt-Art: IGBT – Modul · Q(G): 800 nC · Sperrverzugszeit T(rr): 32 ns · Typ (Hersteller-Typ): SKM145GB176D · VCE Sättigung (max.): 2.45 V
Hinweis:
IC bei 25 °C




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