PhotoMOS-Relais, Serie AQW (EH)
Zweikanal PhotoMOS-Relais im kompakten DIP-Gehäuse. Anwendung: Telekommunikation, Mess-, Sicherheits- und Medizintechnik, Ein- und Ausgabemodule, Fernwartungssysteme.
Technische Daten:
Anschluss (Bauelemente): Print · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-8 · Inhalt: 1 St. · Kontaktart (LOV): 2 Schließer · Polzahl: 8 · Produkt-Art: PhotoMOS-Relais · R(on) (max.): 2.5 Ω · Schaltspannung (max.): 60 V/DC,60 V/AC · Schaltstrom (max.): 500 mA · Temperatur (max.): +85 °C · Temperatur (min.): -40 °C · Typ (Hersteller-Typ): AQW212EH · Verlustleistung: 850 mW
Hinweis:
Zulassungen: UL, CSA, BSI.Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Anschluss (Bauelemente): | |
| Kontaktart (LOV): | 2 Schließer |
| Gehäuseart (Halbleiter): | DIP-8 |
| Typ (Hersteller-Typ): | AQW212EH |
| Polzahl: | 8 |
| Verlustleistung: | 850 mW |
| R(on) (max.): | 2.5 Ω |
| Schaltstrom (max.): | 500 mA |
| Schaltspannung (max.): | 60 V/DC |
| Temperatur (max.): | +85 °C |
| Temperatur (min.): | -40 °C |
| Produkt-Art: | PhotoMOS-Relais |







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