ON Semiconductor Z-Diode 1N5240BTR Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 10 V Leistung (max) P(TOT) 500 mW onsemi

ON Semiconductor Z-Diode 1N5240BTR Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 10 V Leistung (max) P(TOT) 500 mW Mindestbestellmenge: 50 Stück

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Artikelnummer: 289E2-64651072A425 Kategorie: Marke:
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ON Semiconductor Z-Diode 1N5240BTR Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 10 V Leistung (max) P(TOT) 500 mW

Z-Diode

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-35 · Hersteller: ON Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Impedanz (Numeric): 17 Ω · Impedanz Referenz: 20 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Durchsteckmontage · Produkt-Art: Z-Diode · Rest-Sperrstrom: 3 µA · Typ (Hersteller-Typ): 1N5240BTR · Zener-Spannung: 10 V · Zener-Spannung (max.): 10.5 V · Zener-Spannung (min.): 9.5 V · Zener-Spannung Toleranz: +5 %,-5 %

Weitere Informationen:

Hersteller: ON Semiconductor
Konfiguration: einfache Diode
Gehäuseart (Halbleiter): DO-35
Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS
Typ (Hersteller-Typ): 1N5240BTR
Montageart: Durchsteckmontage
Durchlassspannung U(F): 1.2 V
Durchlassspannung Referenz: 200 mA
Impedanz (Numeric): 17 Ω
Impedanz Referenz: 20 mA
Betriebstemperatur (max.): +200 °C
Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C
Leistung (max) P(TOT): 500 mW
Rest-Sperrstrom: 3 µA
Zener-Spannung: 10 V
Zener-Spannung (max.): 10.5 V
Zener-Spannung (min.): 9.5 V
Zener-Spannung Toleranz: +5 % | -5 %
Produkt-Art: Z-Diode
Marke

onsemi
Art.-Nr.

1N5240BTR
Marken onsemi

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