Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220 Mindestbestellmenge: 20 Stück

Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): HEXFET · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1700 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 47 A · Leistung (max) P(TOT): 110 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 48 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 22 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 25 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V