Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220 Mindestbestellmenge: 50 Stück

Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220

Power MOSFET, P-Kanal

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 620 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 19 A · Leistung (max) P(TOT): 3.8 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 35 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 100 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 10 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V