Infineon Technologies IRF7314PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Leistung (max) P(TOT): 2.0 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.098 Ω
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Anzahl Kanäle: | 2 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | SO-8 |
| Ausführung (Transistoren): | P-Kanal |
| Typ (Hersteller-Typ): | IRF7314PBF-GURT |
| Montageart: | Oberflächenmontage |
| Leistung (max) P(TOT): | 2.0 W |
| R(DS)(on): | 0.098 Ω |
| Produkt-Art: | MOSFET |
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