Infineon Technologies IRFPE40PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247 Mindestbestellmenge: 5 Stück

Infineon Technologies IRFPE40PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 800 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1900 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 5.4 A · Leistung (max) P(TOT): 150 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 130 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.2 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 800 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V