NF-Transistor
PNP-Transistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): -15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -30 V · Leistung (max) P(TOT): 330 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: Transistor (BJT) – diskret · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BC858C · VCE Sättigung (max.): -650 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut



Rezensionen
Es gibt noch keine Rezensionen.