STMicroelectronics Transistor (BJT) – diskret BD139-10 SOT-32 Anzahl Kanäle 1 NPN
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-32 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 500 mV
Hinweis:
Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-32 |
| Ausführung (Transistoren): | NPN |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | STM |
| Typ (Hersteller-Typ): | BD139-10 |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| Kollektor Reststrom I(CES): | 100 nA |
| Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 80 V |
| Collector-Strom I(C): | 1.5 A |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: | 150 mA |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: | 2 V |
| DC Stromverstärkung (hFE): | 40 |
| Leistung (max) P(TOT): | 1.25 W |
| VCE Sättigung (max.): | 500 mV |
| Produkt-Art: | Transistor (BJT) – diskret |
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