ON Semiconductor Transistor (BJT) – diskret BD13616STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 PNP
Transistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): -500 mV
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | ON Semiconductor |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | TO-126 |
| Ausführung (Transistoren): | PNP |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS |
| Typ (Hersteller-Typ): | BD13616STU |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| Kollektor Reststrom I(CES): | -100 nA |
| Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -45 V |
| Collector-Strom I(C): | -1.5 A |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: | -150 mA |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: | -2 V |
| DC Stromverstärkung (hFE): | 100 |
| Leistung (max) P(TOT): | 1.25 W |
| VCE Sättigung (max.): | -500 mV |
| Produkt-Art: | Transistor (BJT) – diskret |
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