Diotec Z-Diode ZPD8B2 Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 8.20 V Leistung (max) P(TOT) 0.5 W
Zener, DO-35, 8.2V, 0.5W, 2%
Technische Daten:
Ausführung (Dioden): Zener-Dioden · Betriebstemperatur (max.): 175 °C · Gehäuseart (Halbleiter): DO-35 · Leistung (max) P(TOT): 0.5 W · Montageart: Durchsteckmontage · Weitere technische Daten: Typ: Axial
Gehäuse: DO-35
Zener Spannung – Vzmin: 8.04 V
Vznom: 8.20 V
Vzmax: 8.36 V
Iztest: 5.00 mA
Verlustleistung – Ptot: 0.500 W
Sperrschicht Temperatur – Tjmax: 175 °C
Sperrstrom – IR: 0.100 µA
VR: 6 V
Inhärenter Differentieller Widerstand – rzj: 4.5 Ω
Sperrschicht Kapazität – Cj: pF
VR: V · Zener-Spannung: 8.20 V · Zener-Spannung (max.): 8.36 V · Zener-Spannung (min.): 84 V
Weitere Informationen:
| Hersteller: | Diotec |
| Gehäuseart (Halbleiter): | DO-35 |
| Typ (Hersteller-Typ): | ZPD8B2 |
| Montageart: | Durchsteckmontage |
| Sperrstrom I(r): | 0.100 µA |
| Betriebstemperatur (max.): | 175 °C |
| Leistung (max) P(TOT): | 0.5 W |
| Sperrspannung U(R): | 6 V |
| Zener-Spannung: | 8.20 V |
| Zener-Spannung (max.): | 8.36 V |
| Zener-Spannung (min.): | 84 V |
| RoHS-konform: | Ja |
| Produkt-Art: | Z-Diode |
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