ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-Kanal 800 mW SOT-23-6 Mindestbestellmenge: 20 Stück

ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-Kanal 800 mW SOT-23-6

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 80 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 634 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 40 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-6 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 3 A · Leistung (max) P(TOT): 800 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 18 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 77 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 3 A · Serie (Halbleiter): PowerTrench® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 80 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V