NPN-Breitbandtransistor
NPN-Breitbandtransistor (8 mm-Gurt).
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: 8 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-343 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 12 V · Leistung (max) P(TOT): 700 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: HF-Transistor (BJT) · Rauschzahl F (max.): 2.3 dB · Rauschzahl F (min.): 1.3 dB · Transitfrequenz f(T): 7.5 GHz · Typ (Hersteller-Typ): BFP196W
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