Nexperia Transistor (BJT) – diskret BCX17,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut
SMD-Transistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Serie (Halbleiter): Technique automobile/AEC-Q101 · Transitfrequenz f(T): 80 MHz · VCE Sättigung (max.): -620 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | Nexperia |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Verpackungsart (Bauteile): | Tape cut |
| Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-23 |
| Ausführung (Transistoren): | PNP |
| Serie (Halbleiter): | Technique automobile/AEC-Q101 |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | NEX |
| Typ (Hersteller-Typ): | BCX17,215 |
| Montageart: | Oberflächenmontage |
| Kollektor Reststrom I(CES): | -100 nA |
| Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -45 V |
| Collector-Strom I(C): | -500 mA |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzstrom: | -100 mA |
| DC Stromverstärkung hFE – Referenzspannung: | -1 V |
| DC Stromverstärkung (hFE): | 100 |
| Leistung (max) P(TOT): | 250 mW |
| Transitfrequenz f(T): | 80 MHz |
| VCE Sättigung (max.): | -620 mV |
| Produkt-Art: | Transistor (BJT) – diskret |
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