Vishay IRF640PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220AB Mindestbestellmenge: 20 Stück

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Brand: Vishay
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Artikelnummer: 63484-6900EA59BE25 Kategorie: Artikel Marke: Vishay

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Vishay IRF640PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220AB

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1300 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 18 A · Leistung (max) P(TOT): 125 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 70 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 180 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 11 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 200 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:


Inhalt:	1 St.
Hersteller:	Vishay
Anzahl Kanäle:	1
Gehäuseart (Halbleiter):	TO-220AB
Ausführung (Transistoren):	N-Kanal
Transistor-Merkmal:	Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):	VIS
Typ (Hersteller-Typ):	IRF640PBF
Montageart:	Durchführungsloch
C(ISS):	1300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:	25 V
I(d):	18 A
Betriebstemperatur (max.):	+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):	-55 °C
Leistung (max) P(TOT):	125 W
Q(G):	70 nC
Q(G) Referenz-Spannung:	10 V
R(DS)(on):	180 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:	11 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:	10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:	250 µA
U(DSS):	200 V
U(GS)(th) max.:	4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):	200 V
Produkt-Art:	MOSFET