Infineon Technologies IRFD9120PBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W HEXDIP
MOSFET
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 390 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): HEXDIP · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 1 A · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 18 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 600 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
Weitere Informationen:
| Inhalt: | 1 St. |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Anzahl Kanäle: | 1 |
| Gehäuseart (Halbleiter): | HEXDIP |
| Ausführung (Transistoren): | P-Kanal |
| Transistor-Merkmal: | Standard |
| Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF |
| Typ (Hersteller-Typ): | IRFD9120PBF |
| Montageart: | Durchführungsloch |
| C(ISS): | 390 pF |
| C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V |
| I(d): | 1 A |
| Betriebstemperatur (max.): | +175 °C |
| Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C |
| Leistung (max) P(TOT): | 1.3 W |
| Q(G): | 18 nC |
| Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V |
| R(DS)(on): | 600 mΩ |
| R(DS)(on) Referenz-Strom: | 600 mA |
| R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V |
| U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 250 µA |
| U(DSS): | 100 V |
| U(GS)(th) max.: | 4 V |
| Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 100 V |
| Produkt-Art: | MOSFET |
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