Taiwan Semiconductor Diode 1N5404G DO-201AD 3 mA Tape
Si-Gleichr 400V 3A DO201AD
Technische Daten:
AEC-Compliance: AEC-Q101 · Betriebstemperatur (max.): 150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Durchlassspannung U(F): 1 V · Durchlassstrom I(F): 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DO-201AD · Montageart: Durchsteckmontage · Serie (Halbleiter): 1N5404 · Sperrstrom I(r): 5.000 nA · Verpackungsart (Bauteile): Tape
Weitere Informationen:
| Hersteller: | Taiwan Semiconductor |
| Konfiguration (Diode): | Einzeln |
| Verpackungsart (Bauteile): | Tape |
| Gehäuseart (Halbleiter): | DO-201AD |
| Serie (Halbleiter): | 1N5404 |
| Typ (Hersteller-Typ): | 1N5404G |
| Montageart: | Durchsteckmontage |
| Durchlassstrom I(F): | 3 mA |
| Durchlassspannung U(F): | 1 V |
| Sperrstrom I(r): | 5.000 nA |
| Betriebstemperatur (max.): | 150 °C |
| Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C |
| U(RRM): | 400 V |
| RoHS-konform: | Ja |
| AEC-Compliance: | AEC-Q101 |
| Produkt-Art: | Diode |
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